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120V SGT工藝N-Channel MOSFET
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 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚(yáng)杰科技SGT特殊工藝制程，根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用要求，優(yōu)化導(dǎo)通內(nèi)阻（Rdson)和 柵極電荷（Qg)性能，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率；
2.解決高速Gan電源應(yīng)用時(shí)di/dt大帶來(lái)的副邊電壓尖峰高的問(wèn)題，提升產(chǎn)品整體的可靠性。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用揚(yáng)杰科技SGT特殊工藝制程設(shè)計(jì)，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性；
2.系列產(chǎn)品具有更快的開關(guān)速度，更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率；
3.采用PDFN5060封裝，更好的熱阻特性。
規(guī)格書

YJG88G12A

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